Menu

Виды дифракционных исследований.

Исследования в рентгеновской кристаллографии делятся на две группы: с монокристаллами или с порошковыми образцами. Рентгеновская дифракция монокристаллов используется в основном для определения симметрии и пространственного расположения атомов в кристаллической структуре. Порошковая дифракция рентгеновских лучей применяется главным образом в повседневной практической работе для идентификации минералов, хотя из этих данных нередко можно извлечь информацию о размере и симметрии элементарных ячеек. В некоторых случаях, в особенности когда симметрия исследуемого объекта высока, по данным порошковой дифракции также оказывается возможным определять кристаллическую структуру.

4.4.1 Порошковая дифракция

Как мы видели, данное семейство плоскостей решетки может отражать пучок монохроматических рентгеновских лучей только в тех случаях, когда плоскости располагаются под соответствующим углом к падающему пучку. Существует множество семейств плоскостей с достаточной плотностью атомов для отражения рентгеновских лучей, пересекающих кристаллическую решетку. При исследованиях порошковым методом мы должны зафиксировать отражения от всех этих плоскостей.

Для этого минерал измельчается до очень тонкого порошка, что гарантирует присутствие в исследуемом образце некоторого количества зерен в любой мыслимой ориентации. Кроме того, чтобы обеспечить облучение рентгеновским пучком конкретного зерна во всех ориентациях, порошок образца обычно вращается во время облучения.

Многие современные минералогические лаборатории обеспечены компьютеризованными рентгеновскими дифрактометрами, с помощью которых для идентификационных целей постоянно записываются порошковые дифрактограммы минералов. В некоторых лабораториях для записи ди-фрактограмм также используются рентгеновские дифракционные камеры. Последние обладают тем преимуществом, что для них требуется меньшее количество порошка исследуемого образца. Дальнейшее описание порошкового метода мы начнем с рассмотрения камер, ибо с их помощью легче воспринимаются геометрические построения.

4.4.2 Порошковая камера

Простейшей порошковой камерой является камера Дебая—Шеррера. Она представляет собой полый цилиндр (рис. 4.7), на внутренней стенке которого помещается полоска фотопленки. Порошок

(в) (в)

Рис. 4.6 Схема, иллюстрирующая образование линий порошковой дифрактограммы.

Рис. 4.7 Устройство порошковой камеры Дебая—Шеррера (цилиндрический металлический кожух не показан).

исследуемого образца, заключенный в тонкостенную стеклянную трубочку (или смесь порошка с клеем, нанесенная на тонкий стержень), устанавливается в центре камеры и вращается в пучке рентгеновских лучей. Пучок лучей поступает в камеру через металлический коллиматор, и неоткло-ненные лучи захватываются ловушкой. На облучение образца монохроматическим рентгеновским пучком затрачивается от получаса до нескольких часов.

На проявленной пленке видна серия кривых линий, расположенных по ее ширине так, как это показано на рис. 4.6, а. Для уяснения сущности этих линий рассмотрим случай, когда при облучении образца позади него находится плоская фотопластинка (или фотопленка) (рис. 4.6, в). Возьмем одно семейство атомных плоскостей с межплоскостным расстоянием d, которое отражает лучи с длиной волны, соответствующей углу падения 9. В пучке, отраженном от кристалла при таком значении угла, хотя бы один из лучей будет отклоняться под углом 2q по отношению к неотклонен-ному пучку (рис. 4.6, б). Поскольку измельченный в порошок образец содержит частицы кристалла, находящиеся во всевозможных ориентациях, рентгеновские лучи будут отражаться от разных семейств плоскостей во всех направлениях под характерным углом 2q относительно исходного пучка, т. е. по направлениям, которые образуются коническими поверхностями с половиной угла при вершине 2q и вершинами, располагающимися на образце (рис. 4.6, в). Чтобы зафиксировать семейство плоскостей с данным межплоскостным расстоянием d, необходимо лишь сфотографировать часть проекции этого конуса отраженных лучей. В то же время на практике следует фиксировать все конусы, образованные системами плоскостей с различными межплоскостными расстояниями d. Поэтому фотопленка размещается вокруг образца на одном расстоянии от него. Кривизна линий на пленке объясняется тем, что они представляют собой части круговых сечений конусов, образуемых отраженными лучами. Замеряя расстояние S, разделяющее две части одного и того же конуса отражений, и зная радиус камеры R, можно определить величину в по соотношению (рис. 4.8)

Взяв среднее значение S/2 для нескольких отражений около выходного отверстия неотклоненного пучка и около отверстия для входа пучка, можно сопоставить половину окружности пленки с ее стандартным значением и ввести поправку на некоторое сжатие пленки в процессе эксперимента.

Дублеты

На рис. 4.6, а видно, что линии на пленке вблизи входного отверстия пучка являются двойными. Появление этих дублетов обусловлено тем, что, как мы уже знаем, излучение Ka сложено двумя длинами волн, образованными переходами Ка1 и Ка2 (см. рис. 4.2, в). Во фронтальной области отражения эти две волны не разделяются при отражении и дают единую линию. Однако в тыловой зоне отражения угол в возрастает, приближаясь к 90° Синус этого угла не является линейной функцией, и если мы построим график зависимости d (межплоскостное расстояние, равное Х/2 sin в) от в, то увидим, что вблизи 90° небольшому изменению d будет соответствовать относительно большое изменение в и, следовательно, 2в, те. угла отражения (рис. 4.9). Небольшие изменения А в уравнении Брэгга—Вульфа, приводящие к незначительным изменениям d вблизи в = 90°, вызывают большие изменения 2в. А поскольку в падающем пучке имеется два значения А, то для одного значения d появляются две порошковые линии.

Измерение в

Измерение расстояний на пленке обычно проводится следующим образом. Пленка кладется на миллиметровку, и по ней от линии к линии перемещается движок с закрепленным на нем нониусом. При этом прибегают к помощи слабого (4x или менее) отсчетного микроскопа или лупы. Измерения проводятся посередине дуги, образующей порошковую линию (рис. 4.8), и на хороших резких линиях могут быть выполнены с ошибкой, не превышающей 0,05 мм. Угол в определяется из расстояния между соответствующими дугами и радиуса камеры (см. выше), а для получения d в уравнение Брэгга—Вульфа подставляются sin в и l. Для каждой линии дублета используются значения l, соответствующие Ка: и Ка2. По одиночным линиям следует использовать взвешенные средние из двух длин волн (2ХКа: + lKa2)/3.

Рис. 4.8 Измерение угла в

(а) 0 = & радиан

Для грубых оценок можно также пользоваться прямыми отсчетами значения d по шкалам, каждая из которых строится для конкретного диаметра камеры и определенной длины волны излучения. При их использовании получению большой точности измерений препятствуют сжатие пленки

Рис. 4.9 Зависимость между брэгговским углом в и d, рассчитанная при l = 0,15406 нм (Cu Ka:).

и резко меняющаяся цена делений шкалы. Относительные интенсивности линий можно оценивать визуально по шкале, в которой наиболее сильная линия принимается за 10 или 100 единиц.

4.4.3 Порошковый дифрактометр

Вместо фиксации дифракционных линий на фотопленке, как это происходит в порошковой камере, порошковый дифрактометр записывает их с помощью электронного детектора (рис. 4.10). Детектор монтируется на гониометре, который вращается в пределах угла 2в небольшим мотором. Порошковый образец для дифрактометра обычно помещается в углубление на плоском держателе либо наносится на предметное стекло в виде небольшого пятна смеси, приготовленной путем добавления к порошку капли ацетона или другого быстро испаряющегося растворителя (при этом смесь тонким слоем распределяется по стеклу). Чтобы сохранялось соотношение между в и 2 в, держатель образца вращается в пучке рентгеновских лучей со скоростью, вдвое меньшей, чем у детектора на гониометре. Доступная для геометрии дифракто-метра область значений 2 в лежит в пределах от 2 до почти 180° и, следовательно, охватывает ту же область углов, что и простая порошковая камера. По мере того как детектор перемещается в пределах 2в, рентгеновские лучи, отражающиеся различными рядами кристаллических плоскостей, обрабатываются электронным способом и записываются на диаграммную ленту или, что в последнее время применяется чаще, поступают прямо на компьютер. Таким образом линии на порош-кограмме превращаются в пики на диаграмме регистратора или на экране компьютера (рис. 4.11). При современном программном обеспечении компьютеры будут точно определять центры пиков и фиксировать углы 2в, межплоскостные расстояния d и интенсивности пиков, а помимо этого будут производить запись дифракционной картины. При работе с графопостроителем также необходимо измерить углы 2в пиков, оценив их интенсивности, и рассчитать межплоскостные расстояния d.

Преимущества порошковых дифрактометров, заключающиеся в скорости и простоте выполнения анализов, привели к тому, что в большинстве лабораторий при рутинной работе по идентификации минералов они заменили порошковые камеры.

4.4.4 Идентификация минералов методом порошковой дифракции

Непосредственная польза от порошковых дифрак-тограмм заключается в том, что они, подобно отпечаткам пальцев, помогают диагностировать минералы. Поскольку минерал определяется структурой и составом, можно утверждать, что никакие два разных минерала не могут иметь абсолютно идентичные порошковые дифрактограммы. Даже в случае изоморфных рядов химические замещения приводят к изменениям в размерах элементарной ячейки, которые можно измерить с помощью рентгеновской дифракции. Для облегчения расшифровки получаемых данных существует обширный и постоянно пополняемый каталог порошковых дифрактограмм кристаллических веществ. Он включает в себя не только минералы, но и искусственные неорганические и органические соединения. Его база данных поддерживается Объединенным комитетом по стандартам порошковой дифракции (Joint Committee on Powder Diffraction Standards) и известен как картотека JCPDS. В эту базу данных входят серии карточек или изображений, в которых содержится полный перечень межплоскостных расстояний d для зарегистрированных линий с указанием их интенсивно-стей и миллеровских индексов (если они известны), а также приведены экспериментальные данные и данные по составу1. В верхней части карточки (или изображения) приводятся межплоскостные расстояния d для трех самых сильных линий, а также максимальное межплоскостное расстояние d из числа зафиксированных на дифракто-грамме. На рис. 4.12 показан образец карточки из файла данных. Файл JCPDS с данными порошковой дифракции существует в разных формах, включая компакт-диски, флоппи-диски (дискеты) и микрофиши, а помимо того имеются эти же данные в виде карточек.

Наиболее современные порошковые дифракто-метры снабжены компьютером (или связаны с таковым), содержащим на диске файл JCPDS.

Применение соответствующей программы позволяет вести поиск и подбирать среди базы данных дифрактограммы, подходящие к экспериментально замеренным, и таким образом идентифицировать минералы. Такую работу можно выполнить и вручную, используя поисковые руководства, выпускаемые JCPDS. Существуют две поисковые системы: по методу Ханавольта, в котором поиск ведется по трем самым сильным линиям дифрак-тограммы в порядке снижения их интенсивности, и по методу Финка, основанному на использовании восьми самых сильных линий дифрактограммы в порядке уменьшения их межплоскостных расстояний d. При использовании любого из этих методов необходимо учитывать точность измерения межплоскостных расстояний d и влияние на эту величину возможных атомных замещений. Наблюдаются также колебания интенсивности линий.

Смещение линий и внутренние стандарты

Атомные замещения — почти универсальное явление в минералах — приводят к небольшим изменениям в размерах элементарной ячейки и, следовательно, в положении порошковых линий. Смещение линий в образцах одной и той же минеральной группы можно точно замерить, если смешать известное вещество с порошком минералов перед записью их дифрактограмм. Положение конкретной

Рис. 4.11 Дифрактограмма гроссуляра при излучении Cu Ка (см. также рис. 4.12).

Рис. 4.12 Карточка из картотеки файла JCPDS для гроссуляра Данные этой карточки можно сравнить с экспериментальной дифрактограммой, приведенной на рис 4 11 Заметим, что некоторые приведенные в карточке более слабые линии на дифрактограмме соответствуют уровню фона

Рис. 4.13 Соотношение между межплоскостным расстоянием d и миллеровским символом hkl

линии (или линий) у исследуемого образца можно затем сравнить с положениями линий у внутренних стандартов. В качестве последних обычно используются кварц, Si и KCl. С помощью точных дифракционных данных возможно также оценивать составы твердых растворов.

Индексирование порошковых линий

Чтобы распространить применение дифракто-грамм на оценку изменений в размерах элементарной ячейки и другие подобные исследования, необходимо определить миллеровские индексы плоскостей, соответствующие порошковым линиям. Четкая дифрактограмма чистого минерала, полученная с использованием внутреннего стандарта, имеет большое значение для точного определения параметров элементарной ячейки. Если они известны, то присвоить индексы Миллера различным линиям легко для ортогональных сингоний (кубической, тетрагональной, ромбической, тригональ-ной и гексагональной), но несколько труднее для моноклинной и триклинной. Если же параметры элементарной ячейки неизвестны (например, у недавно открытых разновидностей минералов или химических соединений), то трудности в индексировании возрастают по мере роста размеров элементарной ячейки и уменьшения степени симметрии. В таких случаях индексирование дифракто-граммы может оказаться невозможным без привлечения дополнительных данных. Последние получают с помощью рентгеновских исследований монокристаллов или электроннограмм, хотя некоторую полезную информацию о симметрии дает и оптическое изучение объектов под поляризационным микроскопом. Поскольку совершенно новые минералы встречаются сравнительно редко, то, как правило, оказывается возможным идентифицировать вещество (или его некоторый аналог) по данным картотеки JCPDS. Такая операция обычно дает лишь приблизительные размеры ячейки, но знание их позволяет проводить идентификацию. Вначале мы рассмотрим методику для такого случая, когда предварительная информация подобного рода имеется, и при этом ограничимся ортогональными сингониями. Неортогональные сингоний требуют построения обратных решеток и поэтому не будут здесь рассматриваться.

Индексирование ортогональных сингоний при известных параметрах элементарной ячейки

Эта задача заключается в расчете брэгговских углов в для всех возможных значений hkl элементарной ячейки и сравнении полученных значений с данными дифракционных картин. Имея обозначенные возможные индексы для отражений от некоторых основных плоскостей и используя принятые размеры ячейки, которые, вероятно, будут только приблизительными, мы можем проверить эти размеры и повторить процедуру для получения более точных результатов. Вся эта работа может быть проделана с помощью калькулятора, хотя быстрее она выполняется на компьютере с соответствующим программным обеспечением.

Первым шагом является нахождение выражения, связывающего межплоскостное расстояние d и индексы hkl. Ha рис. 4.13 показаны соответствующие геометрические построения. Плоскость с миллеровскими индексами hkl отсекает на кристаллографических осях отрезки, равные l/h, 1/k, 1/l. В ортогональной элементарной ячейке со сторонами а, b и с семейство таких плоскостей делит длину сторон на части a/h, b/k, с/l соответственно; d представляет собой расстояние по перпендикуляру между плоскостями.

В отсекаемых треугольниках на рис. 4.13 имеют место следующие соотношения:

^^ = (подобные треугольники)

(Jo OB

a/h _ y/b2/k2 + a2/h2 s ~ b/k

1 _hk I b2 + a2 _ s ~ ab V k2 + h2 ~

= y/h2/a2 + k2/b2

OS sc OD ~ ОС

S = y/{c2/l2 + s2) d ~ c/l

= y/(l/s2 + l2/c2).

Подставляя значение 1/s2, имеем

IJd = х/(h2/a2 + k2/b2 + l2/c2). Следовательно,

Формулы для ортогональных сингоний

Кубическая сингония. Для кубической сингоний, в которой все ребра ячейки равны, приведенная выше формула приобретает вид

(4.1)

(4.2)

(4.3)

d = а/\/h2 + k2 + I2.

Подставляя это выражение для d в уравнение Брэгга—Вульфа

Л = 2d sin в,

получаем

А2

sin2 вьм = ^ (h2+k2+l2).

Выражение (h2 + k2 + l2) является целым числом и обозначается N. Член l2/4a2 оценивается по известной длине волны и принятому значению а и умножается на возможные значения N. Затем полученные результаты сравниваются со значениями sin2#, которые определяются по порошковым дифрактограммам. Не следует ожидать точного совпадения при первой попытке, но при этом будут установлены наиболее вероятные значения hkl для ряда отражений. Они снова вводятся в уравнение (4.1) для получения нового значения а, которое используется в следующей попытке, и так продолжается до тех пор, пока не удастся проиндексировать все линии.

Тетрагональная сингония. В этом случае формула приобретает вид

Гексагональная и тригональная сингонии. Для кристаллов этих двух систем, индексируемых по гексагональным осям, формула выглядит следующим образом:

Заметим, что часть выражения сменилась на 12/За2.

Ромбическая сингония. Здесь мы имеем формулу

Индексирование при неизвестных параметрах элементарной ячейки

В первую очередь необходимо получить прямую информацию об элементарной ячейке путем использования одного или нескольких методов дифракции на монокристаллах, описанных в следующем разделе. Но если данные по монокристаллу отсутствуют, необходимые сведения о симметрии можно получить посредством оптического изучения, в результате которого исследуемое вещество обычно удается отнести к одной из следующих групп: изотропной (т.е. кубической), одноосной (т. е. тетрагональной, гексагональной или тригональной) либо двуосной (т.е. ромбической, моноклинной или триклинной). Также существенно, чтобы дифракционные данные записывались с внутренним стандартом и чтобы картина была настолько полной, насколько это возможно. В последние годы был разработан ряд компьютерных программ, облегчающих индексацию порошковых дифрактограмм. Однако результаты даже самой лучшей из них надо воспринимать критически, особенно когда они относятся к элементарной ячейке с низкой симметрией. Все дифракционные картины можно индексировать на уровне триклинных ячеек, но реальная ячейка зачастую может иметь более высокую симметрию!

Расшифровка дифракционной картины, полученной для кубического минерала, относительно проста из-за его высокой симметрии и легко выполнима с помощью нескольких несложных расчетов. Полученные картины для кубических кристаллов распознаются по тому признаку, что у них значения sin2q имеют общий множитель 12/4а2, который мы можем обозначить как х. Если это установлено, то и на этой основе можно

приступать к индексации. Существуют также графические методы, и самые простые из них, касающиеся опять-таки кубических кристаллов, основаны на соотношении . На графике зависимости а (в нм) от d (в нм) (рис. 4.14)

Рис. 4.14 Графическая индексация кубических порошковых дифрактограмм.

изображены прямые, позволяющие определить d при различных значениях а для некоторых простых миллеровских индексов. Значения d для линий порошковой дифрактограммы наносятся на полоску бумаги в том же масштабе, в каком нанесено d на графике. Затем эту полоску передвигают вверх и вниз параллельно оси d до тех пор, пока значения d на полоске не совпадут с линиями на графике. Уровень, на котором это произойдет, дает значение а для исследуемого вещества.

Здесь не рассматриваются аналогичные, но существенно более сложные методы для сингоний с более низкой симметрией.

4.4.5 Дифракция рентгеновских лучей на монокристаллах

Данный метод используется для исследования размеров и симметрии элементарной ячейки и выявления структуры минерала. С его помощью можно определить положения всех атомов в элементарной ячейке. Детальное описание методов определения структуры не входит в задачу настоящей книги, но ряд работ, затрагивающих эту тему, приведен в конце главы.

При исследовании дифракции рентгеновских лучей на монокристаллах используется отдельный кристалл или его фрагмент, обычно имеющий размер менее 0,5 мм. При этом основная цель заключается в том, чтобы записать по отдельности каждое отражение от любого из различных рядов плоскостей. Как и в случае методов порошковой дифракции, это можно выполнить фотоспособом с использованием одного из разнообразных типов камер, предназначенных для изучения монокристаллов. Отражения можно также фиксировать электронным способом на монокристалльном дифрактометре. Монокристалльные дифрактоме-тры имеются во многих университетах, обычно на химических факультетах, где они постоянно находят применение в исследованиях по определению структур синтетических неорганических и органических соединений.

Фотографирование монокристаллов

При использовании фотометода монокристалл подвергается рентгеновскому облучению, и возникающие при этом отражения от различных плоскостей фиксируются на фотопленке в виде набо-

Рис. 4.15 Схема получения фотографии методом Лауэ (а) и лауэграмма, показывающая шестерную симметрию берилла (б).

Рис. 4.16 Прецессионная фотография кристалла берилла при направлении пучка рентгеновских лучей, параллельном шестерной оси.

pa темных точек. По нескольким предварительным фотографиям кристалл ориентируется таким образом, чтобы одна из его кристаллографических осей или какая-либо важная кристаллографическая зона оказалась параллельной оси вращения камеры. Симметрия дифракционного рисунка (например, четверная ось или зеркальная симметрия) помогает в определении симметрии кристалла. Существует несколько типов камер для изучения монокристаллов, но мы ограничим наше краткое рассмотрение двумя способами фотографирования монокристаллов.

Фотографический метод Лауэ. Этот метод был самой ранней разновидностью рентгеновского фотографирования монокристаллов. Неподвижный кристалл облучается белым излучением, и отражения регистрируются на плоском листе пленки, размещенном позади кристалла (рис. 4.15) или между кристаллом и источником рентгеновских лучей. В последнем случае пучок проходит через отверстие в фотопленке.

В силу того что белое излучение содержит широкий спектр длин волн, для каждой из разных систем плоскостей решетки в кристалле с различным межплоскостным расстоянием d найдется длина волны, соответствующая углу, под которым эти плоскости располагаются по отношению к пучку лучей, и эта волна будет отражаться соответствующей системой плоскостей. Подобным образом происходит отражение от многих других плоскостей, и на фотографии получается общая картина симметрии кристалла. Но поскольку мы не знаем длину волны, которая отражается какой-либо системой плоскостей, то не можем установить межплоскостное расстояние d и, следовательно, определить размеры элементарной ячейки.

Прецессионные фотографии. В прецессионной камере кристалл облучается монохроматическими рентгеновскими лучами, и для получения отражений от множества рядов плоскостей решетки необходимо, чтобы кристалл поворачивался в пучке на протяжении некоторого углового интервала. Чтобы предотвратить искажение дифракционной картины во время вращения кристалла в пучке, плоская фотопластинка вращается (т. е. совершает прецессионные движения) одновременно с ним, следуя по трехмерной траектории. Поэтому с помощью прецессионной камеры можно получать неискаженные дифракционные картины, которые позволяют определять как симметрию, так и размеры элементарной ячейки (рис. 4.16). Прецессионные фотографии часто используют в качестве первого шага в структурных определениях для установления симметрии и элементарной ячейки кристалла.

Монокристаллыные дифрактометры

Современные определения структуры кристаллов, будь они минералами, органическими соединениями или белками, опираются на данные, полученные с использованием монокристалльных ди-фрактометров. Геометрия дифрактометра такова, что отражения от каждого отдельного семейства плоскостей решетки могут быть точно замерены по отдельности. Исходя из интенсивности различных отражений, с помощью компьютерных программ можно определить положение всех атомов в элементарной ячейке и, следовательно, структуру кристалла. Теоретические представления о связи интенсивности отражений с распределением атомов описаны в работах, приведенных в библиографии в конце главы.

Оставьте свой комментарий

Оставить комментарий от имени гостя

0
  • Комментарии не найдены

Последние материалы

Заключение (Грунты)

При построении курса учитывалась необходимость его использования для различных гидротехнических специальностей и специализаций. В качестве основной части для студентов всех гидротехнических специальностей следует считать обязательным прочтение гл. 1—7. В гл. 8...

25-08-2013 Просмотров:2428 Грунты и основания гидротехнических сооружений

Представления о решении задач нелинейной механики грунтов

На современном этапе развития нелинейного направления механики грунтов оформились два основных подхода к решению практических задач расчета грунтовых оснований и сооружений: нелинейно-упругий и упругопластический (А. К. Бугров, С. С. Вялов...

25-08-2013 Просмотров:4953 Грунты и основания гидротехнических сооружений

Прочность грунтов при сложном напряженном состоянии

Для сред и материалов, обладающих сплошностью, предложено много различных условий прочности. Для оценки прочности грунтов наиболее широкое распространение получило условие Мора—Кулона (2.38), не содержащее промежуточного главного напряжения а2 и тем...

25-08-2013 Просмотров:2385 Грунты и основания гидротехнических сооружений

Наши рекомендации

Еще материалы

Чердачные помещения

Наиболее характерными недостатками, возникающими в чердачных помещениях в процессе эксплуатации зданий, являются: захламленность строительным мусором и домашними вещами, повышенная температура и влажность воздуха, выпадение конденсата и инея на внутренней поверхности...

01-04-2010 Просмотров:23560 Эксплуатация жилых зданий

Основні принципи і схеми вивчення динамі…

ОСНОВНІ ПРИНЦИПИ І СХЕМИ ВИВЧЕННЯ ДИНАМІЧНОГО ДЕФОРМУВАННЯ І РУЙНУВАННЯ ГІРСЬКИХ ПОРІД При бурінні свердловин мають місце виключно динамічні процеси. Якщо для опису статичних процесів достатня система рівнянь рівноваги сил і моментів...

25-09-2011 Просмотров:3171 Механіка гірських порід

Обработка результатов испытаний

Исходная информация для обработки поступает в виде совокупности осциллограмм или сигналограмм (при магнитной записи). Задачей обработки является извлечение из них необходимых сведений о колебаниях сооружений. Обработку осциллограмм начинают с определения масштабов...

19-03-2013 Просмотров:2872 Обследование и испытание сооружений