Menu

Двойникование.

Благодаря симметрии кристаллической структуры появляется возможность роста сдвойнико-ванных кристаллов. Сдвойникованный кристалл морфологически представляет собой единое тело, состоящее из двух (или большего числа) индивидов, причем один из них может находиться в обратной структурной ориентации относительно другого. В таких кристаллах обращенную ориентацию имеет ряд плоскостей решетки, причем прочность сцепления между ними не ослаблена. Двойниковый рост может происходить тогда, когда группы атомов расположены таким образом, что с одинаковым успехом образуют фрагменты решетки по любую сторону от плоскости, на которой происходила смена ориентации. Если при поступлении атомов к растущему кристаллу создается возможность подобной смены направления кристаллизации, то последующие слои атомов присоединяются в иной ориентации, в результате чего и будет формироваться сдвойникованный кристалл (двойник).

Сразу же должно быть очевидно, что переориентация решетки осуществляется не через плоскость симметрии, так как при образовании двойников создаются условия для возникновения симметрии отражения через плоскость срастания. Если же такая симметрия уже существовала, то никаких изменений в ориентации не должно наблюдаться. Подчеркнем, что операция симметрии эквивалентна вращению решетки вокруг оси, перпендикулярной плоскости срастания двойников и, следовательно, никакой двойной оси или другой поворотной оси четной степени, которая также перпендикулярна к этой плоскости, присутствовать не может. Однако не исключена возможность существования тройной оси, перпендикулярной указанной плоскости.

Во внешней форме кристалла двойникование часто обнаруживается по присутствию входящего угла между гранями (рис. 3.48), который обычно не встречается в простых кристаллах.

Взаимоотношения между частями двойника можно описать либо как отражение через плоскость, которая, за редким исключением, является возможной гранью кристалла и имеет рациональные индексы, либо как поворот на 180° вокруг оси, которая обычно (но не всегда) находится в простом взаимоотношении с кристаллографическими осями. Плоскость и ось с указанными характеристиками называются двойниковой плоскостью и двойниковой осью соответственно (или плоскостью и осью двойникова-ния). В центросимметричных кристаллах существуют как двойниковые плоскости, так и двойниковые оси, перпендикулярные к ним. Образовавшиеся при этом двойники называются зеркальными двойниками или двойниками вращения. При стереографических построениях удобнее рассматривать двойники с точки зрения вращения. Соотношения между составными частями двойников описываются законом двойникова-ния.

Плоскость, соединяющая две части двойника, называется плоскостью двойникового срастания (двойниковым швом). Обычно она совпадает с двойниковой плоскостью. Двойники, соединенные по четко выраженной плоскости, относятся к двойникам срастания. Однако в некоторых случаях тщательное исследование (возможное при изучении шлифов под микроскопом) показывает, что в одних случаях участки структуры с противоположной ориентацией перемежаются между собой в двух частях кристалла, а в других случаях две части кристалла, по-видимому, прорастают друг друга, образуя двойники прорастания (рис. 3.48) Их относительную ориентацию по-прежнему можно описывать с помощью двойниковой оси или двойниковой плоскости, однако плоскость срастания «растворяется» в множестве парных плоскостей решетки, пронизывающих весь объем кристалла.

Связь между двойниковой осью и плоскостью срастания в двойниках срастания создает основу для дальнейшей классификации.

Нормальные двойники имеют двойниковую ось, перпендикулярную плоскости срастания, которая является двойниковой плоскостью.

Рис. 3.48 Примеры сдвойникованных кристаллов.

Параллельные двойники содержат двойниковую ось, которая может иметь направление вдоль ребра кристалла (ось зоны) и лежать в плоскости срастания.

Сложные двойники имеют двойниковую ось, лежащую в плоскости срастания и перпендикулярную к возможному ребру кристалла.

Примеры выделенных типов двойников даны в разделе, посвященном описанию важной группы минералов — полевых шпатов (см. гл. 11).

3.10.1 Многократное двойникование

Процесс двойникования может повторяться в пределах одного кристалла, и при этом возможен один из двух результатов. Если двойниковые оси параллельны в последовательных элементах сдвойникованного кристалла или лежат в плоскости срастания, то образуются параллельные слои (пластинки) кристаллического вещества с обратной ориентацией, которые в совокупности составляют полисинтетические двойники.

Когда в последовательно расположенных индивидах двойниковые оси непараллельны, части двойника образуют различные многоугольные формы. Если параметры кристаллической решетки близки к тем, которые встречаются у классов с более высокой симметрией, то повторяющееся двойникование может привести к проявлению у сдвойникованного кристалла внешне более высокой симметрии. Такое миметическое двойникование (от англ, mimetic — «подражательный». Ред.) прекрасно видно на примере арагонита (СаСОз), показанного на рис. 3.49. В данном случае в ромбическом минерале угол 110 Л 110 составляет 63° 48', что придает тройнику арагонита псевдогексагональную симметрию.

Для иллюстрации основных положений проведенного рассмотрения на рис. 3.48 показано несколько хорошо известных двойников, образцы которых легко доступны для изучения. Другие примеры даются при описании конкретных минералов.

3.10.2 Причины двойникования

В зависимости от генезиса различают два основных типа двойникования: двойникование роста и

Рис. 3.49 Тройник арагонита: миметическое двойникование.

вторичное, подразделяемое на трансформационное и деформационное двойникования.

Двойникованиероста

При описании двойникования мы основывались на представлении о вращении одной части двойника относительно другой, но в большинстве случаев такой подход использовался только для того, чтобы объяснить взаимоотношения между этими частями. Двойникование роста обычно возникает с момента зарождения кристалла, и физического вращения в действительности не происходит.

Причины двойникования в процессе роста кристаллов не вполне ясны. Кристаллы одних минералов почти всегда сдвойникованы, в то время как у других двойникование наблюдается лишь изредка или вообще отсутствует.

Разумеется, прежде всего развитию двойникования должна способствовать симметрия. Так, в гексагональной сингонии двойники встречаются довольно редко, хотя они вполне обычны в три-гональной системе. В первой из них существует большое количество поворотных осей четной степени, которые, по-видимому, являются причиной такого различия. Условия для двойникования благоприятны, когда при пространственном расположении атомов в кристаллической решетке имеются плоскости или оси, по отношению к которым атомы располагаются почти симметрично. Такая ситуация наблюдается, например, у арагонита. Для иллюстрации степени несоответствия в ориентации отдельных частей двойников на рис. 3.50 показаны элементарные ячейки арагонита, наложенные на плоскость 110. Видно, что несоответствие очень невелико вдоль плоскости срастания, но становится отчетливо заметным в следующем ряду групп СОз по любую сторону от этой плоскости (рис. 3.50, a). Ha рис. 3.50(б) убраны лишние детали и можно без помех проследить любое несоответствие, следуя вдоль рядов треугольников.

Классическая теория двойникового роста подчеркивает важность минимизации внутренней энергии кристаллической решетки. Отдельный совершенный кристалл с упорядоченным пространственным расположением координационных полиэдров рассматривается как система с самым низким уровнем энергии. Двойникование, нарушая стройность такой системы, увеличивает энергию решетки. Но если ближайшие из соседних атомов по обе стороны плоскости срастания близки по своим характеристикам, то пространственное расположение анионов вокруг отдельного катиона нарушается незначительно. Тогда обратно ориентированные группы атомов, находящиеся на расстоянии от этой плоскости, большем чем длина связи, существенно не воздействуют на общую энергию решетки, и может проявиться двойникование. Независимо от этого возникновение двойников приписывается множеству нарушений на ранней стадии роста кристалла, когда, как считается, его энергетическое поле, стремящееся сохранить атомы в соответствующей ориентации, является слабым. Если происходит быстрый рост кристалла из пересыщенного раствора, то возникающие при этом нарушения роста могут зафиксироваться в форме двойника.

Рис. 3.50 Связь двойникования со структурой в арагоните.

Атомы кальция

Тем не менее возникновение двойников в процессе роста не ограничивается, как можно было бы предполагать, ранней стадией образования кристаллических зародышей. Например, при полисинтетическом двойниковании плагиоклазов новые пластинки с обратной ориентацией продолжают эпизодически развиваться на протяжении всего времени роста кристалла. Аналогичным образом в нарастаниях плагиоклаза на относительно крупных кристаллах-зародышах в осадочных породах двойникование проявляется независимо от его наличия в ядре. Поэтому условия, которые поддерживают возникновение обратных форм, и реакция решетки на них не полностью управляются слабыми энергетическими полями решетки, существующими на раннем этапе роста кристалла. Скажем больше — идея о том, что рост кристалла изначально направлен на минимизацию энергии решетки, мало что дает для объяснения того, почему некоторые кристаллы почти постоянно сдвойникованы.

По-видимому, существуют ситуации, когда вероятность образования большого числа обратно ориентированных форм зависит от объема атомной решетки (который должен быть близок к объему решетки с обратной ориентацией в двойнике), и тогда обратные формы могут возникать на любой стадии. Сохранение такой решетки в виде двойника зависит, вероятно, от скорости роста кристалла и поступления ионов к обеим ее частям. Многочисленные наблюдения указывают на важное значение условий роста для возникновения двойников. Имеются достаточно серьезные указания на то, что в некоторых минералах при определенных условиях двойникование происходит неизбежно. Например, плагиоклазы в изверженных породах почти всегда сдвойникова-ны, тогда как в породах низкой ступени метаморфизма они часто не образуют двойников. Статистические исследования дают основания полагать, что в плагиоклазах изверженных и метаморфических пород частота проявления различных законов двойникования также различна. Определенную роль помимо этого играет состав. Так, например, в обогащенном кальцием плагиоклазе из габбро толщина пластинок одной ориентации часто значительно больше, чем пластинок с противоположной ориентацией, в то время как в обогащенном натрием плагиоклазе эти два вида пластинок более близки по размерам. Следует помнить, что рост кристаллов представляет собой неравновесный процесс, часто протекающий однонаправленно в соответствии с непрерывными изменениями окружающей среды при остывании расплавов или испарении растворов. Это обстоятельство подразумевает, что условия роста и в особенности концентрация примесей, вероятно, изменяются ступенчато на протяжении небольших временных интервалов. Такие изменения могут благоприятствовать развитию плоскостных дислокаций. Более того, неправильный рост, по-видимому, будет продолжаться до тех пор, пока условия осаждения не сменятся условиями растворения.

В данной области предстоит еще многое сделать, и результаты новых исследований, по-видимому, дадут нам полезную информацию об условиях, существовавших в процессе роста кристалла.

Трансформационное двойникование

Двойникование может происходить в тех случаях, когда кристалл переходит из одной полиморф -ной модификации в другую в результате сдвиговых преобразований. Это двойникование позволяет ослабить напряжения, вызванные небольшими смещениями атомов при изменении симметрии. Примером может служить триклинный анорто-клаз, который переходит в моноклинную форму при температурах до 7000C (температура перехода варьирует в зависимости от состава). Когда анортоклаз находится в триклинной модификации, в шлифах отчетливо видны решетчатые двойники (рисунок клетчатой ткани), образованные по двум законам — альбитовому и периклино-вому, которые описаны в гл. 11. Под микроскопом можно видеть, как эти специфические рисунки исчезают при нагревании и вновь появляются при охлаждении, когда кристалл проходит через точку температурной инверсии. Размер двойниковых индивидов варьирует от субмикроскопического (определяется рентгеновскими методами) до тонких и грубых пластинок, видимых под микроскопом. Такие вариации зависят преимущественно от скорости охлаждения, которая определяет время, необходимое для того, чтобы структура кристалла пришла в соответствие с изменяющимися условиями. Этот временной отрезок называется временем нормализации.

Трансформационные двойники часто наблюдаются у низкотемпературного кварца и называются дофинейскими двойниками. Этот тип двойникования возникает в результате перехода высокотемпературного кварца в низкотемпературный, о чем говорилось в разд. 2.3.1. Происходящие при этом структурные изменения в кварце показаны на рис. 2.15. Двойниковая ось представлена кристаллографической тройной осью Z, и обе части двойника (либо левосторонние, либо правосторонние) взаимно прорастают друг друга весьма незакономерным образом. Благодаря шестерной симметрии, проявляющейся по этой оси, двойники в высокотемпературном кварце (класс 62) исчезают, если эта полиморфная модификация образуется при 5750C.

Трансформационные двойники в лейците показаны на рис. 11.79.

Деформационное двойникование

Если спайный выколок кальцита размером в несколько миллиметров положить на стол и надавить тупым ножом на его длинное ребро (как показано на рис. 3.51), то небольшой участок кристалла может приобрести обратный наклон по отношению к этому ребру, что приведет к двойнико-ванию по плоскости 1102.

Двойникование такого рода, наведенное механическим воздействием, тесно связано с эффектом скольжения в кристаллах. Эти два процесса, взятые вместе, ответственны за возникновение пластического течения в кристаллических веществах, а потому чрезвычайно важны для геологии, металлургии и техники вообще.

Рис. 3.51 Спайный выколок кальцита, сдвойникован-ный под действием давления.

Скольжение заключается в перемещении одной части кристалла относительно другой. Оно происходит по плоскостям решетки с низкими значениями индексов, и движение направлено в сторону рядов атомов с небольшими межплоскостными расстояниями. Плоскость T и направление t скольжения являются неотъемлемыми характеристиками решетки и не зависят от направления приложенной нагрузки. Степень деформации обусловлена тем, насколько благоприятно возможная плоскость скольжения ориентирована по отношению к направлению прилагаемой нагрузки. Величина сдвига вдоль каждой плоскости скольжения должна равняться сумме всех повторяющихся отрезков решетки вдоль t и может различаться в соседних плоскостях скольжения (рис. 3.52).

При деформационном двойниковании напряженная зона кристалла принимает двойниковую ориентацию, при которой движения по каждой плоскости в деформируемую часть кристалла, параллельную плоскости срастания, идентичны При этом величина сдвига в направлении скольжения обычно составляет только часть повторяющегося отрезка решетки. Общее расстояние, пройденное при сдвиге какой-либо плоской сеткой, пропорционально ее расстоянию от двойниковой плоскости (рис. 3.53), образующейся при однородной деформации. Если взять плоскость, расположенную под прямым углом к плоскости скольжения и сохраняющую направление движения, и нарисовать на ней круг, то в результате двойни-кования он превратится в эллипс. В тех местах, где этот эллипс пересекает первоначально нарисованный круг, существуют два направления п и ц2, по которым не происходит нарушений. Они соответствуют проекциям плоскостей, не подвергающихся деформациям. Первая ненарушенная

Рис. 3.52 Скольжение решетки

плоскость Kj является двойниковой плоскостью, а вторая ненарушенная плоскость K2 находится по отношению к первой под углом, который определяет величину смещения, или скалывания. Из рис 3 53 видно, что если угол между двумя ненарушенными плоскостями обозначить через 2f, то скалывание s будет определяться формулой

S = 2ctg2f.

В общем случае любой сдвойникованный кристалл может быть охарактеризован путем определения K1 и ц2 или K2 и пг Если плоскость K1 является рациональной, то двойник можно описать как отражение через эту плоскость. Но если П представляет собой рациональное направление, то двойник рассматривается как результат поворота на 180° относительно направления скалывания Довольно часто все упомянутые характеристики являются рациональными. Зная параметры кристаллической решетки, мы можем рассчитать величину скалывания для кристалла данной толщины И наоборот, если удается выявить ненарушенные плоскости, например в случае деформированных металлов, возникают условия для установления величины перемещения в двойнике.

Смещение при скольжении рассматривается как резкий сдвиг по плоскости первичной дислокации, который осуществляется со скоростью порядка одной десятой скорости звука.

Существует также физическая теория, в значительной степени основанная на эксперименте. С ее помощью показано, каким образом перемещающиеся дислокации могут иметь компоненту, перпендикулярную начальной плоскости, и способны подниматься по спирали через последовательные решетки, что приводит к образованию однородного сдвига, характерного для деформационных двойников.

Как скольжение, так и деформационное двойникование приводят к поглощению энергии, которая обеспечивается внешней деформирующей силой. Дополнительная энергия необходима для перемещения атомов из положений с наиболее низким энергетическим запасом, которые они занимают в структуре совершенных кристаллов. По окончании скольжения атомы возвращаются на свои позиции с минимальной энергией, но внутренняя энергия системы при этом увеличивается в местах развития дефектов в кристалле. При двойникова-нии внутренняя энергия на двойниковой плоскости возрастает. Вероятность скольжения и деформационного двойникования зависит от энергетических характеристик атомных связей по отдельным направлениям в кристалле. Как говорилось выше, возможности проявления таких процессов наиболее благоприятны у кристаллов с металлической связью, придающей металлам ковкость. Однако деформационные двойники в металлах образуются при гораздо меньшем напряжении, чем это следует исходя из расчетов, основанных на поглощении энергии упругой деформации Теория двойникования и распространения скольжения в результате перемещения первоначальных дислокаций предназначена в том числе и для объяснения этого явления

Литература для дальнейшего изучения

1 Burger, M J Elementary Crystallography Cambridge, MA, MIT Press, 1963

Giacovazzo, C Fundamentals of Crystallography Oxford, Oxford University Press, 1992

Hammond, C Introduction to Crystallography Royal Microscopical Society Handbook 19, Oxford, Oxford University Press, 1992

МсШе, D and McKie, C Essentials of Crystallography Oxford, Blackwell Scientific, 1986

Дополнение редактора

1 Егоров- Тисменко Ю К, Литвинская Г П, Загалъ скаяЮ Г Кристаллография Изд-во МГУ, 1992 288с

Оставьте свой комментарий

Оставить комментарий от имени гостя

0
  • Комментарии не найдены

Последние материалы

Заключение (Грунты)

При построении курса учитывалась необходимость его использования для различных гидротехнических специальностей и специализаций. В качестве основной части для студентов всех гидротехнических специальностей следует считать обязательным прочтение гл. 1—7. В гл. 8...

25-08-2013 Просмотров:3252 Грунты и основания гидротехнических сооружений

Представления о решении задач нелинейной механики грунтов

На современном этапе развития нелинейного направления механики грунтов оформились два основных подхода к решению практических задач расчета грунтовых оснований и сооружений: нелинейно-упругий и упругопластический (А. К. Бугров, С. С. Вялов...

25-08-2013 Просмотров:6287 Грунты и основания гидротехнических сооружений

Прочность грунтов при сложном напряженном состоянии

Для сред и материалов, обладающих сплошностью, предложено много различных условий прочности. Для оценки прочности грунтов наиболее широкое распространение получило условие Мора—Кулона (2.38), не содержащее промежуточного главного напряжения а2 и тем...

25-08-2013 Просмотров:3373 Грунты и основания гидротехнических сооружений

Еще материалы

Эксплуатация внутренней отделки зданий и…

Внутреннюю отделку помещений надо проверять одновременно с осмотром стен, полов и перекрытий, обращая особое внимание на наличие трещин, сколов и выбоин в штукатурном слое, отслаивание окрасочных пленок, наличие пятен, выцветов...

01-04-2010 Просмотров:7329 Эксплуатация жилых зданий

Пассивное давление грунта

При движении стенки на грунт под действием внешней активной силы возникающие напряжения ах = сгх > а2 = а3. Поэтому условие предельного равновесия элемента будет в форме (2.49) о' = а*...

25-08-2013 Просмотров:6040 Грунты и основания гидротехнических сооружений

Несущая способность оснований

Наиболее типичной задачей о предельном равновесии грунтовой среды является определение несущей способности основания под действием нормальной или наклонной нагрузок. Например, в случае вертикальных нагрузок на основании задача сводится к тому...

25-08-2013 Просмотров:4075 Грунты и основания гидротехнических сооружений